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耶路撒冷希伯来大学和以色列海法大学的研究人员发现，大脑中一氧化氮的产生与自闭症症状相关。在他们发表于Advanced Science 的论文“自闭症谱系障碍的无答案”中，研究人员描述了小鼠研究中的初步观察如何导致对一氧化氮活性的更深入研究以及数量依赖性致病因素的发现与疾病病理学的相关性。

研究结果表明，一氧化氮(NO) 在自闭症谱系障碍 (ASD) 的发展中起作用，影响突触发生以及皮质和纹状体中的谷氨酸能和 GABA 能系统，汇聚成类似 ASD 的行为缺陷。实验在动物模型、人类 iPSC 衍生的皮层神经元和临床样本中证实了 NO 和 ASD 之间的直接联系。

自闭症谱系障碍是一种神经发育和行为障碍，通常出现在儿童时期。它的特点是社交互动异常、沟通障碍、兴趣受限和重复行为，影响全球 44 名儿童中的 1 名。

特定的基因病理学与 ASD 相关。具有功能丧失突变的 SHANK3 基因和 CNTNAP2 基因的缺失或突变与此密切相关。当研究人员发现一种疾病的遗传相关性时，这表明与这些基因正常运作方式相关的机制已被破坏。识别这些破坏的分子基础可能更具挑战性。

在过去对小鼠进行基因改造以反映 ASD 的研究中，研究小组检测到一氧化氮水平升高。NO 是一种多功能信号分子和神经递质，可调节神经元的细胞存活、分化和增殖以及突触活动、可塑性和囊泡运输。

为了确定 NO 是否会导致 ASD 样表型，连续十天用 S-亚硝基-N-乙酰青霉胺治疗小鼠。这增加了 NO 的产生，导致小鼠皮质树突棘密度显着降低，类似于在基因改变的 ASD 小鼠中观察到的情况。

接下来，研究人员以相反的方式尝试了该实验，在经过改造以反映 ASD 条件的小鼠中抑制 NO 的形成。在这一组中，治疗恢复了树突棘数量，可能逆转了一些遗传驱动的 ASD 效应。